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Datasheet下载- 型号： BF 998 E6327
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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BF 998 E6327产品简介：
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| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 12V 200MA SOT-143射频MOSFET晶体管 N-CH 12 V 30 mA |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 0.03 A |
| Id-连续漏极电流 | 0.03 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,Infineon Technologies BF 998 E6327- |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/bf998series.pdf?folderId=db3a30431441fb5d0114936599851041&fileId=db3a30431441fb5d011493688fd31042 |
| 产品型号 | BF 998 E6327 |
| Pd-PowerDissipation | 200 mW |
| Pd-功率耗散 | 200 mW |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 8 V to 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V to 12 V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 产品类型 | MOSFET Small Signal |
| 供应商器件封装 | PG-SOT143-4 |
| 其它名称 | BF998INDKR |
| 功率-输出 | - |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 噪声系数 | 2.8dB |
| 增益 | 28dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-253-4，TO-253AA |
| 封装/箱体 | SOT-143 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | N 通道 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 12 V |
| 漏极连续电流 | 0.03 A |
| 电压-测试 | 8V |
| 电压-额定 | 12V |
| 电流-测试 | 10mA |
| 系列 | BF998 |
| 配置 | Single Dual Gate |
| 闸/源击穿电压 | 8 V to 12 V |
| 零件号别名 | BF998E6327HTSA1 SP000010978 |
| 频率 | 45MHz |
| 额定电流 | 30mA |
